2014.06/04 高純度βＳｉＣ合成法の開発（１４）
住友金属工業とのＪＶが、半導体用高純度ＳｉＣ事業の発展のきっかけとなった。一人で開発の死の谷を歩いているときに、気分転換で外部の顧客探し、マーケティングを行っていた。セラミックスフィーバーはエンジニアリングセラミックスが中心だったが、ＳｉＣに関しては半導体用途に対する関心が高まりつつあった。
半導体冶工具もエンジニアリングセラミックスのカテゴリーであり、半導体分野の市場を持っていたメーカーで研究開発が進められ、ＳｉＣ半導体冶工具分野は１９９０年にそこそこのマーケットが形成されつつあった。しかし、低コストＳｉＣを製造できるアチソン法やそれよりも少し高純度化可能なシリカ還元法のＳｉＣでは、高純度化のためにコストがかかり、高純度粉体は１ｋｇあたり１０万円以上で取引されていた。
また、ゴム会社のＳｉＣは、シックスナイン以上の高純度であったが、既存の方法のＳｉＣは、それよりも純度が低く、半導体用冶工具はＳｉへの汚染を防ぐためにＣＶＤによる表面処理が必須であった。ある日自宅に住友金属工業の小嶋荘一さん(注)と言う方からお電話があった。無機材質研究所のＴ先生から自宅に電話するように言われたからだそうだ。Ｔ先生は当方が社内で辛い立場で一人で開発を進めていることをご存じであった。
当時の上司に相談したところ、話を進めて良いとの指示を頂いたので、会社に来て頂いた。話はとんとん拍子に進み、まずサンプル提供による共同開発から始めた。最初のサンプルは１００ｇ程度で良かったが、次第に量が増え、１ロット１ｋｇ要求された。６年間休眠していた高純度ＳｉＣ量産プラントを稼働させる必要が出てきた。
ＪＶ立ち上げ後１０ｋｇの生産を行うのだが、休眠していたプラントを立ち上げるのは大変であった。上司から一人で仕事を進めるように指示されていたからである。誰も手伝ってくれる人はいなかった。当方の設計した高純度ＳｉＣ生産用の横型異形プッシャー炉は、最低２人で運転する装置であった。自動化装置も組み込んでいたが、最適化しないままプロジェクトが縮小し装置が休眠状態となっていた。（続く）
（注）ゴム会社の高純度ＳｉＣが学会賞（日本化学会化学技術賞）を受賞するに当たり、開発の歴史を捏造した推薦書のために一度落選し、二度目に産学連携の成果であるとの修正が書き加えられた形で受賞している。この方の名前も入れて頂きたかったがＴ先生一人を入れるのが精一杯であった。
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