2023.02/27 高純度SiC成形体（１）
SiC（炭化ケイ素）の成形体を常圧焼結プロセスにより製造するためには、セラミックスフィーバーを引き起こしたプロチャスカの配合を用いる必要がある。
ゆえに高純度の常圧焼結体を製造することはできない。不純物として助剤が必ず０．２％以上含まれる。プロチャスカの配合ではホウ素を０．２％、カーボンを２％以上添加する必要がある。
この２種類の助剤にはそれぞれ役割があり、ホウ素だけを用いた場合には異常粒成長が起き、緻密化しない。カーボンだけでも、やはり緻密化しない。
ホウ素の役割として界面エネルギーを低下させて緻密化を促進することが知られているが、単独に使用しても緻密化が起きない。
また、カーボンだけならば２％の添加でも片目をつぶって高純度SiCと主張してもお客さんは許してくれそうだが、ホウ素はSiCの組成と異なるゆえに、その添加で高純度SiCと呼べなくなる。
カーボンが多少余分に入っていても高純度SiCとお客さんは呼んでくれるのかどうかについては、現実に高純度SiCヒーターや半導体製造プロセスで用いられているダミーウェハーの組成は、カーボンが余分に入った高純度SiCである。
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