2021.01/06 高純度ＳｉＣ開発（２）
アチソン法は、ＳｉＣの生産方法としてエジソンの時代に開発された生産技術である。石英と炭素、おがくずなどを混ぜて積み上げた山に電気でこの山ごと高温に加熱し、ＳｉＣ化の反応を行う。
このプロセスでαＳｉＣのインゴットを製造後、それを粉砕し粉を製造する。そして何段階かの精製プロセスを経て９８％から９９％の純度とし、それを昇華法で高純度化するのがレイリー法である。レイリー法ではシリカ還元法で製造されたβＳｉＣも用いることが可能である。
それならば、最初に１００％の純度の原料を用いてシリカ還元法を行えば、１００％の純度のＳｉＣができるのでは、と誰もが考えるので、1980年頃この視点による特許が多数出願されていた。
その中には、ポリエチルシリケートと高純度カーボンの組み合わせ（これをＡ法）や高純度シリカと高純度フェノール樹脂の組み合わせ（これをＢ法）を原料とする製造法の発明があったが、ポリエチルシリケートと高純度フェノール樹脂の組み合わせ（これをＣ法）は特許として出願されていなかった。
高分子について知識があれば、この組み合わせではフローリー・ハギンズ理論のχが大きいので相分離し、前駆体として用いることができないことに気がつく。
これは、科学の視点で当たり前の考え方である。だから特許として出願されていないのだろうと理解し、納得している人は、ＡＩと同じで２１世紀において創造的な発明は難しい。
また、Ａ法やＢ法が実用化されていないことから、Ｃ法も実用化が難しいだろう、と簡単にあきらめる人は、頭は良くてもおそらくアイデアの出にくい人だ。
Ｃ法が理想的にできたならば、シリカとカーボンが分子レベルで混合された固体となり、Ａ法やＢ法で製造された前駆体の状態とは大きく異なる。
そしてこの前駆体を用いれば、当時シリカ還元法において誰もなしえていない均一固相反応でＳｉＣ化の反応を行うことができる。
このことがどれほど科学の世界において斬新かつ重要であったかは、約１０年後当方がまとめた研究を勝手に論文投稿したアカデミアの先生がおられたことから理解できるかもしれない。すなわちパイロットプラントができた当時でさえ未発表の内容が数年後でも科学の視点で鮮度を失っていなかった。
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