2023.05/05 高純度SiC合成プロセス
SiCの合成法については、エジソンがダイヤモンドを作ろうとして石英るつぼでカーボンを蒸し焼きにしたところSiCを製造できた話は有名である。弟子のアチソンがそれを実験してダイヤモンドに次ぐ硬さの材料を発明したので、アチソン法と呼ばれている。
また、その材料はカーボランダムと呼ばれたのだが、今も昔もこの方法が主流である。但し、アチソン法はαSiCを製造する方法で、βSiCを製造する方法はシリカ還元法だと主張する人もいる。アチソン法もシリカ還元法とみなせるので話がややこしい。
ただ、高純度SiCの製造法になると、1980年代まで経済的な方法は存在しなかった。SiCの高純度化はレイリー法で実験的に行われていた。当方が発明した前駆体を無機材質研究所で処理し高純度SiCを製造したのが世界初であり、基本特許が出願されている。
その後、けい素源となるけい素の低分子化合物とアセチレンを気相で反応させる研究が盛んに行われ、一部新日鉄で実用化されたが、コストは当方の方法よりも高かった。
ポリエチルシリケートは、大量に購入すればｋｇあたり1000円以下であり、高純度フェノール樹脂も低価格なので、高純度ＳｉＣは、ｋｇあたり5000円前後で合成可能となった。大量に合成すれば価格は下がる。
この前駆体法の優れているところは、この欄で書きにくいが、ひと手間かけるとＳｉＣウェハーの原料となることだ。ご興味のあるかたはお問い合わせください。
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